ДОСЛІДЖЕННЯ НЕОДНОРІДНО ЗЧУВСТВЛЕННИХ КРИСТАЛІВ СУЛЬФІДУ КАДМІЯ. ЧАСТИНА I. ПРО ЗАРЯДОВИЙ СТАН ЦЕНТРІВ РЕКОМБІНАЦІЇ
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2017.26.126214Ключові слова:
коєфіціент гасіння, сульфід кадмію, інфрачервоне світлоАнотація
Досліджені фотоелектричні властивості кристалів CdS з комбінованим легуванням. Отримано аналітичний вираз для залежності коєфіціента гасіння от інтенсивностей збуджующего і гасящего світла. Вперше оцінена концентрація центрів швидкої рекомбінації. Розрахован зарядовий стан S- і R-центрів. При цьому створено ексклюзивний метод вирішення системи рівнянь. Продемонстрована модуляція ЛАХ інфрачервоним світлом.Посилання
Новикова М.А. Особливості інфрачервоного гасіння фотоструму у напівпровідниках CdS.//Работа – лауреат Областного конкурса (1 место) Малой академии наук, Областное территориальное отделение, Секция “Физика”. Одесса, 2005 г., с. 1 – 37.
M.A.Novikova Change of Photoelectric Properties of Semiconductors as a
Tool for the Controlof Environmental Pollution by Extraneous Admixtures
and IR-illumination.//Section of Environmental Science. Finalist of Intel
International Science and Engineering Fair. USA, AZ, Phoenix,May 8 – 18.
Драгоев А.А., Затовская Н.П., Каракис Ю.Н., Куталова М.И. Управляемые электрическимполемдатчики инфракрасного излучения. //Материалы 2 nd International Scientific and Technical Conference “Sensors Electronicsand Microsystems Technology” Book of abstracts. 115. Секция IV “Радіаційні, оптичні, та оптоелектричні сенсори”.
Україна, Одеса, 26–30 червня 2006 р. “Астропринт”. 2006.
M.A.Novikova, Yu.N.Karakis, M.I. Kutalova Particularities of current
transfer in the crystals with two types of Recombination centers.// Photoelectronics – 2005.n.14. –P. 58-61.
Каракис К.Ю. Релаксационные характеристики полупроводниковых кристаллов с ИК-гашением фототока.// Одесса, Работа – лауреат Областного конкурса (Ш место) Малой академии наук, Областное территориальное отделение, Секция “Физика”. Одесса –2001. с. 1–37.
Ю.Н. Каракис, Н.П. Затовская, В.В. Зотов, М.И., Куталова Особенности релаксации фототока в кристаллах сульфида кадмия с запорными контактами//1-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників.– Одеса, 10-14 вересня 2002. Тези доповідей. Т.2. – с.138
К.Ю. Каракис, В.А. Борщак, В.В. Зотов, М.М. Куталова Релаксационные характеристики кристаллов сульфида кадмия с ИК-
гашением.//Фотоэлектроника 2002.–вып.11. – с.51–55.
A.A. Dragoev, Yu.N.Karakis, M.I. Kutalova Peculiarities in photoexcitation
of carriers from deep traps.//Photoelectronics– 2006 – n. 15.–P. 54–56
А.А. Драгоев Визначення квантового виходу інфрачервоного гасіння фототоку.//Робота – лауреат Областної сесії Малої Академії наук України. Одеське територіальне відділення. Секція “Фізика”. –Одеса 2006. –c.32 .
Ye.V. Brytavskyi, Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova, G.G.Chemeresyuk Effects
connected with interaction of charge carriers and R-centers basic and exited states.//Photoelectronics. –2009. –n. 18.–P. 84 – 87.
E.V.Britavsky, Y.N.Karakis, M.I.Kutalova, G.G.Chemeresyuk On the charge state of rapid and slow recombination centers in semiconductors //Photoelectronics.–2008. – n.17.–2009. – n. 18–P. 65 – 69.
Бритавский Е.В. Эффект модулирования вида люксамперной характеристики инфракрасным светом //63-я отчётная студенческая научная конференция, посвящённая 143-й годовщине Одесского национального университета имени И.И. Мечникова. Физический факультет. Секция физики полупроводников и диэлектриков. 23 - 24 апреля – 2008. Тезисы докладов – C. 52 – 53.
G.G.Chemeresyuk, Ie. V. Brytavskyi, Yu. N. Karakis (Ukraine) Infrared
radiation sensor with selective controlled sensitiviti// The Ninth International Conference “Correlation Optics 2009” – Chernivtsi National
UniversityChernivtsi, Ukraine. September 20 – 24. – 2009. Poster Session. Session 2 – D-2.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.