ДОСЛІДЖЕННЯ НЕОДНОРІДНО ЗЧУВСТВЛЕННІХ КРИСТАЛІВ СУЛЬФІДУ КАДМІЮ. ЧАСТИНА II. РЕЛАКСАЦІЙНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2018.27.150559Ключові слова:
cadmium sulphide, photoelectric properties, relaxation of the photocurrentАнотація
Розглянуті фотоелектричні властивості кристалів CdS з комбінованим легуванням.
Виявлена релаксація фотоструму, що пов’язана з довготривалим (місяці) перерасподілом зчувствляючої домішки. Вказана можливість створення світлових датчиків нового типу з сверхдовгою памятью.
Досліджена середньотривала (хвилини) і швидка (секунди) релаксація фотоструму при збудженні власним і інфрачервоним світломПосилання
Simanovych N.S., Brytavskyi Ye.V., Kutalova M.I., Borshchak V.A., Karakis Y.N.
The study of heterogeneous sensitized crystals of cadmium sulfide. Part I. About charge state of the centers recombination. // Photoelectronics – 2017. – n. 26. – s. 121–135.
Каракис К.Ю. Релаксационные характеристики полупроводниковых кристаллов с ИК-гашением фототока.//Одесса, Работа – лауреат Областного конкурса (Ш место) Малой академии наук, Областное территориальное отделение, Секция “Физика”. Одесса – 2001. с. 1–37.
Ю.Н. Каракис, Н.П. Затовская, В.В. Зотов, М.И, Куталова Особенности релаксации фототока в кристаллах сульфида кадмия с запорными контактами //1-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. – Одеса, 10-14 вересня 2002. Тези доповідей. Т.2. – с. 138.
К.Ю. Каракис, В.А. Борщак, В.В. Зотов, М.М. Куталова Релаксационные характеристики кристаллов сульфида кадмия с ИК- гашением. // Фотоэлектроника 2002. – вып.11. – с.51 – 55.
Melnik А.S., Karakis Y.N.. Kutalova M.I., Chemeresjuk G.G. Features of thermo-optical transitions from the recombination centers excited states. // Photoelectronics –2011. – n. 20. – s. 23–28.
Каракис Ю.Н., Борщак В.А. Затовская Н.П., Зотов В.В., Куталова М.И.,
Балабан А.П. Исследование релаксации фототока в полупроводниковом устройстве. // Фотоэлектроника – 2003. – №12 – с. 132 – 135.
Кочергіна А.А., Каракіс Ю.М. Деградація фоточутливості напівпровідників, зумовлена міграцією домішок. // Всеукраїнська конференція молодих вчених “Фізика і хімія твердого тіла. Стан, досягнення і перспективи”. 20 – 21 жовтня 2010 р. Волинський національний технічний університет. Тези доповідей. Секція 2. “Сучасні фізико-технічні аспекти напівпровідникових пристроїв”. Луцьк. – с. 212 – 217.
Софія Зіміна, Юрій Каракіс , Вікторія Федоренко Релаксаційні властивості фотоструму в монокристалах CdS //International Conference of Students and Young Scientists in Theoretical and Experimental Physics HEUREKA -2012. Book of abstracts. April 19-22– Lviv, Ukraine. – 2012 – s. D 19.
G.G.Chemeresyuk, Ye. V. Brytavskyi, Yu. N. Karakis (Ukraine) Infrared radiation sensor with selective controlled sensitiviti // The Ninth International Conference “Correlation Optics 2009” – Chernivtsi National University Chernivtsi, Ukraine. September 20 – 24. – 2009. Poster Session. Session 2 – D-2.
Кочергина А.А., Каракис Ю.Н., Ницук Ю.А. Датчики инфракрасного света на основе очувствлённых полупроводников // 4 nd International Scientific and Technical Conference “Sensors Electronics and Microsystems Technology” (СЕМСТ-4). Book of abstracts Секция VI “Радіаційні, оптичні, та оптоелектричні сенсори”.–
Україна, Одеса, 28 червня – 2 липня 2010 р. ”– s. 100.
A.A. Dragoev, A.V. Muntjanu, Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova Calculation for migration-dependent changes in near-contact space-charge regions of sensitized crystals. // Photoelectronics. – 2010. – n. 19. – s. 74 – 78.
Ye.V.Britavsky, Y.N.Karakis, M.I.Kutalova, G.G.Chemeresyuk On the charge state of rapid and slow recombination centers in semiconductors// Photoelectronics. –2008. – n.17. – 2009. – n. 18 – s. 65 – 69.
Dragoev A.A., Ilyashenko A.S., Babinchuk V.S.,Karakis Yu.N.,KutalovaM.I. Features of photocurrent relaxation in sensor-based CdS crystals or features or features of photocurrent relaxation in crystals with fast and slow recombination centres //Photoelectronics. – 2012. – n. 21. – s. 110 – 115.
Новикова М.А. (под научным руководством Ю.Н.Каракис) Особливості інфрачервоного гасіння фотоструму у напівпровідниках CdS. // Работа – лауреат Областного конкурса (1 место) Малой академии наук, Областное территориальное отделение, Секция “Физика”. Одесса, 2005 г., с. 1 – 37.
M.A.Novikova Change of Photoelectric Properties of Semiconductors as a Tool for the Control of Environmental Pollution by Extraneous Admixtures and IR-illumination.//Section of Environmental Science. Finalist of Intel International Science and Engineering Fair. USA, AZ, Phoenix, May 8 – 18. 2005.
Драгоев А.А., Затовская Н.П., Каракис Ю.Н., Куталова М.И. Управляемые электрическим полем датчики инфракрасного излучения.//Материалы 2 nd International Scientific and Technical Conference “Sensors Electronics and Microsystems Technology” Book of abstracts s. 115. Секция IV “Радіаційні, оптичні, та оптоелектричні сенсори”. Україна, Одеса, 26–30 червня 2006 р. “Астропринт”. 2006.
M.A.Novikova, Yu.N.Karakis, M.I. Kutalova Particularities of current transfer in the crystals with two types of Recombination centers. // Photoelectronics- 2005. – n.14. – s. 58–61.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.