ДОСЛІДЖЕННЯ ДОМІШКОВОЇ ФОТОПРОВІДНОСТІ ТА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ В КРИСТАЛАХ ZnTe:V
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2016.25.157544Ключові слова:
телурид цинку, дифузійне легування, домішка ванадію, фотопровідність, фотолюмінесценціяАнотація
Досліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnTe:V у видимій області спектру. Встановлено, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnTe:V обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 4T1(F) на більш високі збуджені енергетичні рівні іону V2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутришньоцентрової люмінесценції кристалів ZnTe:V відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів V2+.
Посилання
Kisiel V. E., Tolstik N. A., Scherbitsky V. G. et. al. Growth and spectroscopic characterization of Cr:ZnTe laser crystals // CLEO/Europe. 2005 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe. – 12-17 June 2005.
Frolov M. P., Korostelin Yu. V., Kozlovskii V. I. et al. Laser radiation tunable within the range 4.35-5.45 μm in a ZnTe crystals doped with Fe2+ ions // Journal of Russian Laser Research. – 2011. – Vol. 11, No. 6. – P. 528-532.
Peka P., Lehr M. U., Schulz H., Pohl U. W. Vanadium centers in ZnTe crystals. I. Optical properties // Phys. rev. B. – Vol. 53(4). – P. 1907-1916.
Arunas Kadys, Kestutis Jarasiunas, Markas Sudzius et. al. Photoelectric properties of highly excited ZnTe:V(Al, Sc) bulk crystals // Phys. Stat. Sol. (c). – 2005. - Vol. 2. – P. 1389–1392.
Ваксман Ю. Ф., Ницук Ю. A., Яцун В. В., Влияние примеси железа на люминесценцию и фотопроводимость кристаллов ZnSe в видимой области спектра // ФТП. – 2011. – Т. 45, вып. 9. – С. 1171-1174.
Ницук Ю. А., Ваксман Ю. Ф., Яцун В. В. Исследование примесной фотопроводимости и люминесценции в кристаллах ZnSe:Ni в видимой области спектра // ФТП. – 2012. – Т. 46, вып. 10. – С. 1288-1292.
Ницук Ю. А. Оптическое поглощение ванадия в кристаллах ZnSе // ФТП. – 2014. – T. 48, № 2. – С. 152-157.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.