ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СТРУКТУР Cr-ZnSe З БАР’ЄРОМ ШОТТКИ
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2014.23.158476Ключові слова:
бар’єр Шоттки, УФ-приймач, фоточутливість, центри швидкої рекомбінаціїАнотація
Досліджено структури на основі монокристалів ZnSe з напівпрозорим шаром хрому. Вольтамперні та вольт-фарадні характеристики структур свідчать, що контакт Cr-ZnSe є запірним та близьким за своїми властивостями до бар’єру Шоттки. Розрахована рівноважна висота бар’єру складає 1,22 еВ. В структурах, зміщених у зворотньому напрямку, виявлено виникнення фоточутливості в короткохвильовій області спектру аж до довжини хвилі 230 нм. Це зумовлено погіршенням умов для рекомбінації фотозбуджених носіїв на центрах швидкої рекомбінації в сильному електричному полі у приповерхневому шарі зворотньо зміщеного контактного бар’єру. Розраховане із довгохвильової межі спектру фотоструму значення висоти контактного бар’єру 1,18 еВ добре узгоджується з результатами, отриманими із C-V характеристик.Посилання
Blank T. V., Goldberg Yu. A. Poluprovodnikovyye fotopreobrazovateli dlya UF oblasti spektra // Fizika i tekhnika poluprovodnikov. – 2003. – Vol. 37, No. 9. – P. 1025-1055.
Monroy E., Omnes F., Calle F. Wide-bandgap semiconductor ultraviolet photodetectors // Semiconductor science and technology. – 2003. – Vol. 18. – P. R33-R55.
Ilchuk G. A., Rud V. Yu., Rud Yu. V. et al. Fotochuvstvitelnost struktur na osnove monokristallov ZnSe // Fizika i tekhnika poluprovodnikov. – 2000. – Vol. 34, No. 7. – P. 809-813.
Perevertaylo V. L., Dobrovolskiy Yu. G., Popov V. M. et al. Fotodiod ultrafioletovogo diapazona na osnove selenida tsinka // Tekhnologiya i konstruirovaniye v elektronnoy apparature. – 2010. – No. 2. – P. 17-21.
Bouhdada M., Hanzaz F., Vigue I.P., Furie I. Shottky barier near-ultraviolet photodetectors based on ZnSe // Active and passive electronic devise. – 2005. – Vol. 1. – P. 79-89.
Kosyachenko L. F., Sklyaruk V. M., Maslyanchuk O. L. Osobennosti elektricheskikh kharakteristik diodov Shottki na osnove CdTe s pochti sobstvennoy provodimostyu // Zhurnal tekhnicheskoy fiziki. – 2006. – Vol. 32, No. 24. – P. 29-37.
Melebayev D., Melebayev G. D., Rud V. Yu., Rud Yu. V. Fotochuvstvitelnost i opredeleniye vysoty baryera Shottki v strukturakh Au-n-GaAs // Zhurnal tekhnicheskoy fiziki. – 2008. – Vol. 78, No. 1. – P. 137-141.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.