ОДНО ТА ДФОХФОНОНЕ РАМАНІВСЬКЕ РОЗСІЯННЯ НАНОСТРУКТУРОВАНОГО КРЕМНІЮ
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2014.23.158484Ключові слова:
поруватий кремній, Раманівське розсіяння, неелектролітичне травленняАнотація
У роботі представлено дослідження комбінаційного розсіяння (КРС) наноструктурованого кремнію отриманого методом хімічного неелектролітіческіх травлення. Представлена інтерпретація спостережуваних одне і двухфононних піків КРС. Було виявлено, що піки КРС першого і другого порядку зміщуються і розширюються щодо піка об’ємного кремнію. Дане явище аналізується в рамках фононного конфайнмента з урахуванням механічних напружень. Широкий пік ВРХ другого порядку в області 900-1100 см-1 відповідає суперпозиції трьох поперечних оптичних фононів ~ 2ТО (X), 2ТО (W) і 2ТО (L).Посилання
Rong-ping Wang, Guang-wen Zhou, Yu-long Liu, Shao-hua Pan, Hong-zhou Zhang, Da-peng Yu, and Ze Zhang, Raman spectral study of silicon nanowires: High-order scattering and phonon confinement effects // Phys. Rev. B. – 2000. – Vol. 61(24). – P. 16827-16832.
Puspashree Mishra and K. P. Jain. First- and second-order Raman scattering in nanocrystalline silicon // Phys. Rev. B. – 2001. – Vol. 64(7). – P. 073304-073308.
Piscanec S., M. Cantoro, A. C. Ferrari, J. A. Zapien, Y. Lifshitz, S. T. Lee, S. Hofmann, and J. Robertson. Raman Spectrum of silicon nanowires // Phys. Rev. B. – 2003. – Vol. 68(24). – P. 241312-241316.
Korsunska N., B. Bulakh, B. Jumayev, L. Khomenkova,V. Yukhymchuk, and T. Torchynska. Raman scattering characterization of macro- and nanoporous silicon // Applied Surface Science. – 2005. – Vol. 243. – P. 30-35.
Meiera Cedrik, Stephan Lu, Vasyl G. Kravets, Hermann Nienhaus, Axel Lorke,and Hartmut Wiggers. Raman properties of silicon nanoparticles // Physica E. – 2006. – Vol. 32. – P. 155-158.
Mohanta S. K., R. K. Soni, S. Tripathy, C. B. Soh, S. J. Chua, and D. Kanjilal. Raman scattering from nanopatterned silicon surface prepared by low-energy Ar+ Ar+ -ion irradiation // Physica E. – 2006. – Vol. 35. – P. 42-47.
Wensheng Wei. One- and two-phonon Raman scattering from hydrogenated nanocrystalline silicon films // Vacuum. – 2007. – Vol. 81. – P. 857-865.
Wensheng Wei, Gangyi Xu, Jinliang Wang, and Tianmin Wang. Raman spectra of intrinsic and doped hydrogenated nanocrystalline silicon films // Vacuum. – 2007. – Vol. 81. – P. 656-662.
Chil-Chyuan Kuo. Micro-Raman spectroscopy characterization of polycrystalline silicon films fabricated by excimer laser crystallization // Optics and Lasers in Engineering. – 2009. – Vol. 47. – P. 612-616.
Abidi Dorra, Bernard Jusserand, and Jean-Louis Fave. Raman scattering studies of heavily doped microcrystalline porous silicon and porous silicon freestanding membranes // Phys. Rev. B. – 2010. – Vol. 82(7). – P. 075210-075221.
Duan Y., J. F. Kong, and W. Z. Shen. Raman investigation of silicon nanocrystals: quantum confinement and laser-induced thermal effects // J. Raman Spectrosc. – 2012. – Vol. 43(6). – P. 756-760.
Khorasaninejad M., J. Walia, and S. Saini. Enhanced first-order Raman scattering from arrays of vertical silicon nanowires // Nanotechnology. – 2012. – Vol. 23. – P. 275706- 275713.
Suk-Kyu Ryu, Qiu Zhao, Michael Hecker, Ho-Young Son, and KwangYoo Byun. Micro-Raman spectroscopy and analysis of near-surface stresses in silicon around through-silicon vias for three-dimensional interconnects // J. Appl. Phys. – 2012. – Vol. 111. – P. 063513-063521.
Khorasaninejad M., M. M. Adachi, J. Walia, K. S. Karim, and S. Saini. Raman spectroscopy of core/shell silicon nanowires grown on different substrates // Phys. Status Solidi A. – 2013. – Vol. 210(2). – P. 373–377.
Narasimha Rao Mavilla, Chetan Singh Solanki,and Juzer Vasi. Raman spectroscopy of silicon-nanocrystals fabricated by inductively coupled plasma chemical vapor deposition // Physica E. – 2013. – Vol. 52. – P. 59–64.
Huang Z., N. Geyer, P. Werner, J. De Boor, and U. Gosele. Metal-assisted chemical etching of silicon: A review // Advanced Materials. – 2011. – Vol. 23(2). – P. 285-308.
Kolasinski W. K. Silicon nanostructures from electroless electrochemical etching // Current Opinion in Solid State & Materials Science. – 2005. – Vol. 9. – P. 73-83.
Chartier C., S. Bastide, and C. Levy. Metal-assisted chemical etching of silicon in HF-H2 O2 // Electrochimica Acta. – 2008. – Vol. 53(17). – P. 5509-5516.
Valentin A., J. Sée, S. Galdin-Retailleau, and P. Dollfus. Phonon dispersion in silicon nanocrystals // Journal of Physics: Conference Series. – 2007. – Vol. 92. – P. 012048-012052.
Aouissi M., I. Hamdi, and N. Meskini. Phonon spectra of diamond, Si, Ge, and α-Sn: Calculations with real-space interatomic force constants // Phys. Rev. B. – 2006. – Vol. 74(5). – P. 054302-054312.
Loudon R. The Raman effect in crystals // Adv. Phys. – 2001. – Vol. 50(7). – P. 813-864.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.