ВПЛИВ ГЛИБОКИХ ЦЕНТРІВ НА КІНЕТИКУ ПОВЕРХНЕВОГО СТРУМУ, ІНДУКОВАНОГО АДСОРБЦІЄЮ МОЛЕКУЛ АМІАКУ В P-NПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2014.23.158580Ключові слова:
глибокі цунтри, p –n переходи, поверхневы центриАнотація
Досліджено кінетику поверхневого струму в p-n структурах на основі GaAs після їх поміщення у концентровані вологі пари аміаку. Показано, що нахил виміряних часових залежностей струму є немонотонний. Дане явище пояснено за врахуванням наявності глибоких поверхневих рівнів, які заповнюються, коли квазі-рівень Фермі рухається в сторону зони провідності. Аналіз кінетики поверхневого струму в p-n структурах на основі GaAs у вологих парах аміаку дав можливість оцінити глибини деяких поверхневих рівнів. Глибини основних виявлених поверхневих рівнів складають 0,206 eВ, 0,185 eВ і 0,176 еВ від с-зони. В інтервалі глибин 0,185 eВ – 0,176 еВ виявлено додаткові поверхневі рівні, розподілені неперервно з практично постійною щільністю.Посилання
Ptashchenko O. O., Artemenko O. S., Ptashchenko F. O. Vliyanie gazovoi sredy na poverhnostnyi tok v p-n geterostrukturakh na osnove GaAs-AlGaAs // Fisika i khimiya tverdogo tila. – 2001. – V. 2, № 3. – P. 481 – 485.
Ptashchenko O. O., Artemenko O. S., Ptashchenko F. O. Vplyv pariv amiaku na poverkhnevyi strum v p-n perekhodakh na osnovi napivprovidnykiv А3 В5 // Journal of physical studies. – 2003. – V. 7, №4. – P. 419 – 425.
Bugayova M. E., Koval V. M., Lazarenko B. I. et al. Gazovi sensory na osnovi oksydu tsynku (oglyad ) // Sensorna electronika i mikrosystemni tehnologii. – 2005. - №3. – P. 34 – 42.
Russhikh D.V., Rembeza S. I., Shironkin S. Yu. et al. Vysokochuvstvitel’nyi poluprovodnikovyi datchik gazovych sred // Sensors & Systems. 2008. – № 8. – P. 14 – 16.
Bomk O. I., Il’chenko L. G., Il’chenko V. V. et al. Pro pryrodu chutlyvosti do amiaku gazovykh sensoriv na osnovi struktur nadtonka tytanova plivka – kremniy // Ukr. fiz. journ. – 1999. – V. 44, №9. – P. 759 – 763.
Baluba V. I., Gritsyk V. Y., Davydova T. A. et al. Sensory ammiaka na osnove diodov Pd-n-Si // Fizika i tekhnika poluprovodnikov. – 2005. – V. 39, № 2. P. 285 – 288.
Ptashchenko F. O. Vplyv pariv amiaku na poverkhnevyi strum u kremniyevykh p-n perekhodakh // Ptashchenko F. O. Visnyk ONU, ser. Fizyka.– 2006. – V. 11, №. 7. – P. 116 – 119.
Ptashchenko O. O., Ptashchenko F. O., Yemets O. V. Effect of ammonia vapors on the surface current in silicon p-n junctions. // Photoelectronics. – 2006. – No. 16. – P. 89 – 93.
Ptashchenko O. O., Ptashchenko F. O., Gilmutdinova V. R. Vplyv poverkhnevogo leguvannya na charakterystyky p-n perekhodiv na osnovi GaAs yak gazovykh sensoriv // Sensorna elektronika i mikrosystemni tekhnologiyi. – 2013 – V. 10, № 1. – P. 114 – 123.
Fedorov Yu.Yu., Kharlamova T.S., Chikun V.V. Zavisimost’ koncentracii glubokikh urovnei ot sposoba okisleniya poverkhnosti arsenida galliya // Elektronnaya tekhnika. Ser. SVCH-tekhnika. – 1993, No 2 (456). – P. 33-35.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.