ВИЗНАЧЕННЯ ШИРИНИ ЗАБАРОНЕНОЇ ЗОНИ НАПІВПРОВІДНИКОВОГО МАТЕРІАЛУ В ГОТОВОМУ ВИРОБІ

Автор(и)

  • A. Yu. Bak Odessa National University, Україна
  • Yu. N. Karakis Odessa National University, Україна
  • A. E. Stupak Odessa National University, Україна
  • M. I. Kutalova Odessa National University, Україна
  • A. P. Chebanenko Odessa National University, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/0235-2435.2014.23.158625

Ключові слова:

ширина забороненої зони, енергія активації, напівпровідник

Анотація

Запропоновано метод визначення енергії активації напівпровідника в готовому виробі. Показано, що ширину забороненої зони можливо розрахувати по відсічкам на обох осях графіків ln(I)÷U, виміряних при різних температурах. Визначений мінімальний температурний інтервал в залежності від точності вимірювань. Вказано новий засіб визначення E g без екстраполяції ВАХ.

Посилання

Tereshchenko O.E., Kostyurina A.G. - Opredeleniye shiriny zapreshchennoy zony poluprovodnikov // Novosibirsk, 2004.

Pavlov L.P. - Metody izmereniya parametrov poluprovodnikovykh materialov // M., Vysshaya shkola, 1997.

Vladimirova L.N., Bormontov Ye.N., Berlo Ye.N. – Vnutrenniy fotoeffekt v poluprovodnikakh // Izdatelsko-poligraficheskiy tsentr Voronezhskogo gosudarstvennogo universiteta, 2009.

Andreyev A.N., Gavrilov Ye.V., Ishanin G.G. – Opticheskiye izmereniya // M., Logos, 2012.

Lebedev A.I. - Fizika poluprovodnikovykh priborov // M. Fizmatlit., P 2008 .

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-12-05

Номер

№ 23 (2014)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2020 Photoelectronics

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

авторське право переходить до видання.