ЛОКАЛЬНА ГУСТИНА ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ ГРАФЕНУ

Автор(и)

  • К. Д. Кардашев А.С. Попов Одеська національна академія зв'язку, Україна
  • Д. Л. Кардашев Одеська національна морська академія, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/0235-2435.2012.21.205230

Ключові слова:

густина стану, функія Гріна, графен

Анотація

У данній роботі розрахована густина електронних станів графену методом функцій Гріна на основі наближення гратки Бете.

Біографії авторів

К. Д. Кардашев, А.С. Попов Одеська національна академія зв'язку

K. D. Kardashev,

Д. Л. Кардашев, Одеська національна морська академія

D. L. Kardashev

Посилання

Joannopolus J. D. Theory of fluctuations and localized states in amorphous tetrahedrally bonded solids// Phys.Rev.B, — 1997,Vol.16, № 6, — P. 2764-2774.

Kardashev D. L. Electron density of states and neutral vacancy levels in an amorphous covalent semiconductors //Phys. and chem.of solid state. — 2009. — № 4. — P. 643-646.

Madan A., Shaw M. The Physics and applications of amorphous semiconductors// Mir, Moscow, 1999. — P. 195-330.

##submission.downloads##

Опубліковано

2020-06-11

Номер

№ 21 (2012)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2012 Photoelectronics

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

авторське право переходить до видання.