ОПТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ И ДИФФУЗИЯ КОБАЛЬТА В МОНОКРИСТАЛЛАХ ZnS
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2012.21.205559Ключові слова:
сульфид цинка, диффузионное легирование, примесь кобальта, оптическая плотность, коэффициент диффузииАнотація
Исследованы монокристаллы ZnS:Co, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 0.4-3.8 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация кобальта в исследуемых кристаллах. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnS:Со в видимой и ИК-области спектра.
Диффузионный профиль примеси кобальта определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии кобальта в кристаллах ZnS при температурах 1170-1270 К. При 1270 K коэффициент диффузии кобальта составляет 10-9см2/с.
Посилання
Sims R. A.; Kernal J.; Fedorov, V. V.; Mirov, S. B. Characterization of cobalt doped ZnSe and ZnS crystals as saturable absorbers for alexandrite lasers. Solid State Lasers XV: Technology and Devices. Edited by Hoffman H. J., Shori R. K. Proceedings of the SPIE. — 2006. — V. 61. — P. 216-225.
Tsai T.-Y., Milton B. Characteristics of Co2+:ZnS saturable absorber Q-switched neodymium lasers at 1.3 μm // J. Appl. Phis. — 2001. — V. 89, № 4. — P. 2009-2016.
Korostelin Yu. V., Kozlovsky V. I., Nasibov A. S., Shapkin P. V. Vapour growth of II-VI solid solution single crystals // J. Cryst. Growth. — 1999. — V. 159. — P. 181-185.
Ukhanov Yu. I. Optical Properties of Se-miconductors. — Мoscow: Nauka. — 1999. — Р. 366 .
Агекян В. Ф. Внутрицентровые пе-реходы ионов группы железа в полу-проводниковых матрицах типа А2В6 (Обзор) // ФТТ. — 2002. — Т. 44, №. 11. — С. 1921-1999.
Huheey J. E. Inorganic chemistry, New York: Harper & Row. — 1999. — Р. 696.
Wray E. M., Allen J. W. Crystal field spectra of 3dn impurities in zinc selenide // J. Phys. C: Solid State Phys. — 1999. — V. 4. — P. 512-516.
Noras J. M., Szawelska H. R., Allen J. W. Energy levels of cobalt in ZnSe and ZnS // J. Phys. C: Solid State Phys. — 1981. — V. 14. — P. 3255-3268.
Соколов В. И., Мамедов А. Н., Суркова Т. П., Чукичев М. В., Кулаков М. П. Энергетические состояния кобальта в селениде и сульфиде цинка // Оптика и спектроскопия. — 1999 — Т. 62, № 4. — С. 805-811.
Zunger A. 3d transition atom impurities in semiconductors // Solid State Physics. — 1986. — V. 39. — P. 276-464.
Vaksman Yu . F., Nitsuk Yu .A ., Pavlov V. V., Purtov Yu. N., Nasibov A. S., Shapkin P. V. Optical properties of ZnS single crystals doped with cobalt // Photoelectronics. — 2007.— № 16. — P. 33-36.
Ваксман Ю. Ф., Павлов В. В., Ницук Ю. А., Пуртов Ю. Н., Насибов А. С., Шапкин П. В. Получение и оптические свойства монокристаллов ZnSe, легированных кобальтом // ФТП. — 2006. — Т. 40, № 7. — С. 815-818.
Ваксман Ю. Ф., Ницук Ю. А., Павлов В. В., Пуртов Ю.Н., Насибов А. С., Шапкин П. В. Оптические свойства моно-кристаллов ZnTe, легированных кобальтом // ФТП. — 2007. — Т. 41, В 6. — С. 679-682.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.