ВПЛИВ ПАРІВ АМІАКУ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОБОЮ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ Si ТА GaAs

Автор(и)

  • О. О. Птащенко Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Ukraine
  • Ф. О. Птащенко Одеська національна морська академія, Ukraine
  • В. Р. Гільмутдінова Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Ukraine
  • Г. В. Довганюк Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.18524/0235-2435.2012.21.206950

Ключові слова:

p-n перехід, газовий сенсор, зворотний струм, напруга пробою, поверхневий центр.

Анотація

Досліджено вплив парів аміаку та води на вольт-амперні характеристики зворотних струмів у p-n переходах на основі Si та GaAs. В більшості досліджених зразків пари аміаку та води зменшують напругу пробою. На деяких зразках спостерігався зворотний ефект. Ця різниця обумовлена домінуванням різних поверхневих центрів, які мають донорні або акцепторні властивості. Деякі p-n переходи мають фіксовану напругу пробою незалежно від присутності парів аміаку та води. Дана поведінка обумовлена локалізацією пробою в об’ємі кристалу в таких зразках. Таким чином, вплив парів аміаку на напругу пробою дає інформацію про локалізацію пробою і про зарядовий стан поверхневих центрів.

Біографії авторів

О. О. Птащенко, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

O. O. Ptashchenko,

Ф. О. Птащенко, Одеська національна морська академія

F. O. Ptashchenko,

В. Р. Гільмутдінова, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

V. R. Gilmutdinova,

Г. В. Довганюк, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

G.V Dovganyuk

Посилання

Ptashchenko O. O., Artemenko O. S., Ptashchenko F. O. Vliyanie gazovoi sredy na poverhnostnyi tok v p-n geterostrukturakh na osnove GaAs-AlGaAs // Fisika i khimiya tverdogo tila. — 2001. — V. 2, № 3. — P. 481 — 485.

Ptashchenko O. O., Artemenko O. S., Ptashchenko F. O. Vplyv pariv amiaku na poverkhnevyi strum v p-n perekhodakh na osnovi napivprovidnykiv А3В5 // Journal of physical studies. — 2003. — V. 7, № 4. — P. 419 — 425.

Ptashchenko O. O., Artemenko O. S., Dmytruk M. L. et al. Effect of ammonia vapors on the surface morphology and surface current in p-n junctions on GaP. // Photoelectronics. — 2005. — No. 14. — P. 97 — 100.

Ptashchenko F. O. Effect of ammonia vapors on surface currents in InGaN p-n junctions. // Photoelectronics. — 2007. — No. 17. — P. 113-116.

Ptashchenko F. O. Vplyv pariv amiaku na poverkhnevyi strum u kremniyevykh p-n perekhodakh // Ptashchenko F. O. Visnyk ONU, ser. Fizyka. — 2006. — V. 11, №. 7. — P. 116-119.

Ptashchenko O. O., Ptashchenko F. O., Yemets O. V. Effect of ammonia vapors on the surface current in silicon p-n junctions. // Photoelectronics. — 2006. — No. 16. — P. 89-93.

Ptashchenko O. O., Ptashchenko F. O., Yemets O. V. Effect of ambient atmoswphere on the surface current in silicon p-n junctions // Photoelectronics. — 2009. — No. 18. — P. 28 — 32.

Ptashchenko O. O, Ptashchenko F. O. Gil’mutginova V. R., Dovganyuk G. V., Bogdan O. V. Effect of water- and ammonia vapors on the breakdown of p-n junctions // Sensor Electronics and Microsystem Technologies (SEMST-5). Odessa, June 4-8, 2012. Abstracts of the Reports. — P. 81.

Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices. V. 1. — New York: A. Wiley-Interscience Publication, 1981. — 456 p.

Vashpanov Yu. A., Smyntyna V. A. Ad-sorbtsionnaya chuvstvitel’nost’ poluprovodnikov. — Odessa: Astroprint, 2005. — 216 p.

##submission.downloads##

Опубліковано

2020-07-01

Номер

Розділ

Статті