ДОСЛІДЖЕННЯ ОДНОРІДНИХ І ГЕТЕРОГЕННИХ СЕНСИБІЛІЗОВАНИХ КРИ- СТАЛІВ СУЛЬФІДУ КАДМІЮ. ЧАСТИНА V. НЕОДНОРІДНЕ ЛЕГУВАННЯ

Автор(и)

  • С. С. Куликов Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • Є. В. Бритавський Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • В. А. Борщак Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • Н. П. Затовська Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • М. І. Куталова Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • Ю. М. Каракіс Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/0235-2435.2021.30.262804

Ключові слова:

неоднорідне легування, короний разряд, структура бар’єра

Анотація

Реферат.
Розроблено технологію обробки кристалів напівпровідників CdS у коронному розряді. Встановлено, що в результаті такого впливу зразки набувають змінної спектральної чутливості. Спостережуване явище пояснюється появою сідла потенційного бар'єру в приповерхневій області елемента, незвичайні властивості якого можуть створити новий тип пристрою.

Посилання

Simanovych N.S., Brytavskyi Ye.V., Kutalova M.I., Borshchak V.A., Karakis Y.N. “The study of heterogeneous sensitized crystals of cadmium sulfide. Part I. About charge state of the centers recombination” // “Photoelectronics”, n. 26. Odesa, 2017. P. 124 – 138 .

S.S.Kulikov, Ye.V. Brytavskyi, M.I., Kutalova, N.P. Zatovskaya, V.A. Borshchak, N.V. Konopel’skaya, Y.N. Karakis “The study of cadmium sulfide heterogeneously sensitized crystals. Part II. Relaxation characteristics” // “Photoelectronics”, №. 27. Odesa, 2018. P. 79 – 93 .

Kulikov S.S., Brytavskyi Ye.V., Kutalova M.I., Zatovskaya N.P., Borshchak V.A., Karakis Y.N. “The study of cadmium sulfide heterogeneously sensitized crystals. Part III. Oscillations of excited carriers”, // “Photoelectronics”, №. 28. Odesa, 2019. P. 133 – 144.

Kulikov S.S., Brytavskyi Ye.V., Kutalova M.I., Zatovskaya N.P., Borshchak V.A., Karakis Y.N. “The study of cadmium sulfide heterogeneously sensitized crystals. Part IV. Oscillations of excited carriers”, // “Photoelectronics”, №. 29. Odesa, 2019. P. 21-37.

Чемересюк Г.Г., Сердюк В.В. Явления, обусловленные захватом носителей, инжектированных в освещенные монокристаллы селенида кадмия // Известия высших учебных заведений. Физика.– 1968.– №12.– C.7 – 12.

Чемересюк Г.Г. Отрицательная фотопроводимость в селениде кадмия, обусловленная уменьшением подвижности свободных носителей // Studia Universitatis babes-bolyai: Series Physica Fasciculus 1.–1972. C. 21.

Чемересюк Г.Г., Сердюк В.В. Коротковолновое гашение продольной фотопроводимости монокристаллов селенида кадмия // Физика и техника полупроводников.-1969.-Т.3, в.3. C. 396-399.

Физика и химия соединений АIIBVI.// Под ред. проф. С.А. Медведева.- М.: Мир, 1970. C. 103 – 104.

Драгоев А.А., Каракис Ю.Н., Балабан А.П., Чемересюк Г.Г. Расчёт профиля ОПЗ датчиков со знакопеременной спектральной чувствительностью // 4nd International Scientific and Technical Conference “Sensors Electronics and Microsystems Technology” SEMST-4). Україна, Одеса, 28 червня – 2 липня 2010 р. “Астропринт”. 2010. C. 192.

A.A. Dragoev, A.V. Muntjanu, Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova Calculation for migration-dependent changes in near-contact space-charge regions of sensitized crystals // “Photoelectronics”, №. 19. Odesa “Astroprint” 2010. P. 74 – 78.

Минаева О.П. Влияние газового разряда на формирование энергетического барьера в приповерхностной области кристаллов сульфида кадмия // Материалы 63-й отчетной студенческой научной конференции. Секция физики полупроводников и диэлектриков.– Одесса, 2007, C. 3 – 4.

##submission.downloads##

Опубліковано

2021-12-24

Номер

№ 30 (2021)

Розділ

Статті

Ліцензія

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

авторське право переходить до видання.