Про журнал

Галузь та проблематика

фізика напівпровідників та діелектриків
фізика твердого тіла
гетеро- та низьковимірні структури
лінійна та нелінійна оптика твердого тіла
оптоелектроніка та оптоелектронні прилади
квантова електроніка

Процес рецензування

Автори статей надсилають в редакцію зовнішню та внутрішню рецензію, редакція надсилає статті для повторного подвійного сліпого рецензування.

Рецензування проводиться за наступними критеріями: відповідність тематиці журналу; актуальність роботи; чіткість постановки задачі; новизна матеріалу і достатність посилань на публікації; ясність викладу і легкість сприйняття; переконливість доказів; правомірність висновків; зауваження до термінології; доцільність таблиць, ілюстрацій, адекватність їх змісту; можливість впливати на фундаментальні і прикладні дослідження; чи є необхідність скорочення об’єму статті.

Термін рецензування складає до 30 днів від відправки статті рецензенту.

Рецензентами є члени редколегії журналу, а при необхідності особи, які не входять до редколегії. Рецензентом може бути особа яка має ступінь доктора (кандидата) наук та має опубліковані наукові праці з тематики рецензуємого матеріалу.

Періодичність публікації

Періодичність публікації: 1 збірник на рік.

Політика відкритого доступу

Автори надсилають Акт експертизи, який дозволяє відкритий доступ до змісту статей.

Журнал підтримує політику вільного доступу, виходячи з принципу вільного поширення наукової інформації та глобального обміну знаннями задля загального суспільного прогресу.

У виданні використовується ліцензія Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Мови видання

Мови видання: англійська; реферати – англійською, українською та російською мовами.

Редакційна колегія журналу

ГОЛОВНИЙ РЕДАКТОР
Сминтина В. А., д-р фіз.-мат. наук, проф., Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна

ВІДПОВІДАЛЬНИЙ СЕКРЕТАР:
Куталова М. І., науковий співробітник, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна

ЧЛЕНИ РЕДКОЛЕГІЇ:

Ваксман Ю. Ф. ,д-р фіз.-мат. наук,Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна

Литовченко В. Г., д-р фіз.-мат. наук, Інституту фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАНУ, Україна

Д’Аміко А.,PhD, Department of Electronic Engineering, University of Rome “Tor Vergata” via della Ricerca Scientifica, Rome, Italy

Мокрицький В. А., д-р фіз.-мат. наук, Одеський національний політехнічний університ, Україна

Стародуб М. Ф., д-р біолог. наук, Інститут біохімії імені О. В. Палладіна НАНУ, Україна

Вікулін І. М., д-р фіз.-мат. наук, Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова, Україна

Курмашов Ш. Д., д-р фіз.-мат. наук, Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова,Україна

Борщак В. А., д-р фіз.-мат. наук, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна

Яцунський І. Р., канд. фіз.-мат. наук, Університет Адама Міцкевича, м. Познань, Польща

Раманавічус А., Dr habil., Вільнюський університет, Литва

Етика до публікацій

Редакція збірника повинна оцінювати науковий зміст рукопису незважаючи на релігійні погляди, стать, громадянство та політичні погляди авторів.

Автори дають обіцянку надсилати нову неопубліковану в інших виданнях оригінальну роботу а також надсилати статтю тільки у збірник «Фотоелектроніка». У випадках використовування висновків інших авторів повинні давати бібліографічні посилання. Плагіат у всіх формах є неетичним. Усі статті проходять перевірку на плагіат.

Фінансова політика журналу

Безкоштовне видання. Публікація робіт в журналі здійснюється на некомерційній основі. Комісія за оформлення статті не стягується.