ВПЛИВ ПАРІВ ВОДИ НА КІНЕТИКУ ПОВЕРХНЕВОГО СТРУМУ, ІНДУКОВАНОГО АДСОРБЦІЄЮ МОЛЕКУЛ АМІАКУ В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2016.25.157661Ключові слова:
p-n структура, пари аміаку, водяні пари, адсорбція, провідний канал, спадання струму, поверхневі центриАнотація
Досліджено кінетику поверхневого струму в n-провідному каналі, обумовленому адсорбцією молекул аміаку і води, в p-n переходах на основі GaAs. Показано, що наявність парів води у навколишньому середовищі сильно впливає на криві спадання струму після видалення парів аміаку. Крива спадання струму в цьому випадку має три експоненціальні компоненти з різними значеннями характеристичного часу: τ1 = 30 c, τ2 = 1900 c і τ3 = 9400 c, а також компоненту з τ4 >> τ3. Результати пояснюються в рамках простої моделі, яка враховує динамічну рівновагу між вільними електронами у провідному каналі та електронами на повільних поверхневих центрах. Кожна експоненціальна компонента обумовлена спустошенням відповідних центрів. Характеристичний час кожної експоненціальної компоненти кривої спадання струму визначається глибиною і щільністю відповідних поверхневих рівнів, а також товщиною провідного каналу.
Посилання
Ptashchenko F. O. Vplyv pariv amiaku na poverkhnevyi strum u kremniyevykh p-n perekhodakh // Visnyk ОNU, ser. Fizyka. – 2006. – Vol. 11, No. 7. – P. 116-119.
Ptashchenko O. O., Ptashchenko F. O., Dovganyuk G. V. Vplyv struktury kremniyevykh p-n perekhodiv na yikh kharakterystyky yak gazovykh sensoriv // Sensorna Electronika і mikrosystemni tekhnologii. – 2011. – Vol. 2(8), No. 4. – P. 13-19.
Ptashchenko O. O., Artemenko O. S., Ptashchenko F. O. Vplyv pariv amiaku na poverkhnevyi strum v p-n perekhodakh na osnovi napivprovidnykiv А3 В5 // Journal of physical studies. – 2003. – Vol. 7, No. 4. – P. 419-425.
Ptashchenko O. O., Ptashchenko F. O., Gilmutdinova V. R. Vplyv poverkhnevogo leguvannya na charakterystyky p-n perekhodiv na osnovi GaAs yak gazovykh sensoriv // Sensorna elektronika i mikrosystemni tekhnologiyi. – 2013. – Vol. 10, No. 1. – P. 114-123.
Konstantinova Е., Pavlikov A., Vorontsov A. et al. IR and EPR study of ammonia adsorption effect on silicon nanocrystals // Phys. Status Solidi A. – 2009. – Vol. 206, No. 6. – P. 1330-1332.
Boarino L., Borini S., Amato G. Electrical properties of mesoporous silicon: from a surface effect to coulomb blockade and more // J. Electrochem. Soc. – 2009. – Vol. 156, No. 12. – P. K223-K226.
Yuan G. D., Zhou Y. B., Guo C. S. et al. Tunable electrical properties of silicon nanowires via surface-ambient chemistry // ACS Nano. – 2010.– Vol. 4, No. 6. – P. 3045–3052.
Ptashchenko F. O. Characteristics of silicon transistors as gas sensors // Photoelectronics. – 2010. – No. 19. – P. 18-21.
Ptashchenko O. O., Artemenko O. S., Dmytruk M. L. et al. Effect of ammonia vapors on the surface morphology and surface current in p-n junctions on GaP // Photoelectronics. – 2005. – No. 14. – P. 97-100.
Ptashchenko F. O. Effect of ammonia vapors on surface currents in InGaN p-n junctions // Photoelectronics. – 2007. – No. 17. – P. 113-116.
Ptashchenko O. O., Ptashchenko F. O., Gilmutdinova V. R. Tunnel surface current in GaAs p-n junctions induced by ammonia molecules adsorption // Photoelectronics. – 2013. – No. 22. – P. 38-42.
Fedorov Yu. Yu., Kharlamova T. S., Chikun V. V. Zavisimost’ koncentracii glubokikh urovnei ot sposoba okisleniya poverkhnosti arsenida galliya // Elektronnaya tekhnika. Ser. SVCH-tekhnika. – 1993. – No. 2(456). – P. 33-35.
Ptashchenko O. O., Ptashchenko F. O., Gilmutdinova V. R. Effect of deep centers on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions // Photoelectronics. – 2014. – No. 23. – P. 107-111.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.