ФОТОПРОВІДНІСТЬ І ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ КРИСТАЛІВ ZnSe:Cr У ВИДИМІЙ ОБЛАСТІ СПЕКТРУ
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2015.24.157909Ключові слова:
селенід цинку, дифузійне легування, домішка хрому, фотопровідність, фотолюмінесценціяАнотація
Досліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnSe:Cr у видимій області спектру. Встановлено схему оптичних переходів в межах домішкових центрів Cr2+.
Показано, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnSe:Cr обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 5T2(D) на більш високі збуджені енергетичні рівні іону Cr2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутришньоцентрової люмінесценції кристалів ZnSe:Cr відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів Cr2+.
Посилання
Moskalev I. S., Fedorov V. V., Mirov S. B. Tunable, single-frequency, and multiwatt continuous-wave Cr2+:ZnSe Lasers // Optics express. – 2008. – Vol. 16, No. 6. – P. 4145-4153.
Zunger A. Electronic structure of 3d transition atom impurities in semiconductors // Solid State Physics. – 1986. – Vol. 39. – P. 27674.
Ницук Ю. А. Энергетические состояния иона Cr2+ в кристаллах ZnSe // ФТП. – 2013. – Т. 47, Вып. 6. – С. 728-731.
Ваксман Ю. Ф., Павлов В. В., Ницук Ю. A. Оптическое поглощение и диффузия хрома в монокристаллах ZnSe // ФТП. - 2005. - Т. 39, № 4. - С. 401-404.
Ваксман Ю. Ф., Ницук Ю. A., Яцун В. В., Влияние примеси железа на люминесценцию и фотопроводимость кристаллов ZnSe в видимой области спектра // ФТП. – 2011. – Т. 45, Вып. 9. – С. 1171-1174.
Vaksman Yu. F., Nitsuk Yu. A., Purtov Yu. N., Shapkin P. V. Native and impurity defects in ZnSe:In single crystals prepared by free growth // Semiconductors. – 2001. – Vol. 3. – P. 883-889.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.