ПРОЦЕСИ, ЩО ПОВ’ЯЗАНІ З БІФУРКАЦІЄЮ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2015.24.158154Ключові слова:
бифуркація, процес, характеристикаАнотація
Розглянуто механізми, що приводять до перетину вольт-амперних характеристик та явища, що їх супроводжують. Показано можливість участі при цьому як нерівноважних носіїв у випадку фотоелементів, так і внесок рівноважного заряду при температурному впливі на опорні діоди. Побудовано моделі, які пояснюють особливості що спостерігаються.Посилання
Karakis Yu. N., Kutalava M. I., Zatovskaya N. P. Optimization in conditions for CdS-Cu2 S heterophotocell shaping // Photoelectronics. – 2012. – No. 21. – P. 86-89.
Берман Л. С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. – Ленинград : Наука, 1981. – 176 с.
Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов. – М. : Физматлит, 2008 .
Чебаненко А. П., Зубрицкий С. В., Каракис Ю. Н. Методические указания к специальному практикуму “Физика полупроводниковых приборов Часть I. Полупроводниковые диоды”. – Одесса : ОНУ им. И. И. Мечникова, 2015. – С. 1-62.
Горелик С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. – М. : Мисис, 2003. – 481 с.
Викулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых диодов. – М. : Радио и связь, 1990. – 264 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.