МОСТОВІ ДАТЧИКИ НА БАЗІ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРОВ

Автор(и)

  • I. M. Vikulin Odessa national Academy of Telecommunications, Ukraine https://orcid.org/0000-0003-3887-6676
  • SH. D. Kurmashev Odessa national Academy of Telecommunications, Ukraine
  • A. V. Veremyova Odessa national Academy of Telecommunications, Sudan

DOI:

https://doi.org/10.18524/0235-2435.2014.23.158630

Ключові слова:

польові транзистори, мостові датчики, максимальна чутливість

Анотація

Розглянуто можливість використання польових транзисторів в мостових датчиках магнітного поля, температури та світла. Показано, що максимальна чутливість досягається в мостових схемах датчиків, де в якості всіх чотирьох елементів в плечах моста використовуються польові транзистори, причому в однієї пари транзисторів струм збільшується із зростанням вимірюваної величини, а в іншої – зменшується.

Посилання

Sharapov V. M., Vikulin I. M., Kurmashev Sh. D., Sensors, Cherkassy Brama, - 2008.- pp 430-470 .

V. A. Teslenko, Actuators in data and management collecting systems// Journal of Industrial measurements, control, automatics, diagnostics 2004, 2 (1), pp 50-56.

Vikulina L. F., Glauberman M.A., Physics of the temperature and magnetic field sensors, Odessa Lighthouse.- 2000-17-123 pp.

I. Krivonosov, Semiconductor temperature actuators. Moscow, Energy.- 2004 -156 p.

Vikulin I.M., Kurmashev Sh.D., Stafeev V.I., Injection-based photodetectors// J. Semiconductors 2008, 42 (1), pp 112- 127.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-12-05

Номер

№ 23 (2014)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2020 Photoelectronics

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

авторське право переходить до видання.