THE STUDY OF HOMOGENEOUS AND HETEROGENEOUS SENSITIZED CRYSTALS OF CADMIUM SULFIDE. PART III. OSCILLATIONS OF EXCITED CARRIERS

Автор(и)

  • S. S. Kulikov Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • Ye. V. Brytavskyi Odessa I.I. Mechnikov National University, Україна
  • V. A. Borshchak Odessa I.I. Mechnikov National University, Україна
  • N. P. Zatovskaya Odessa I.I. Mechnikov National University, Україна
  • M. I. Kutalova Odessa I.I. Mechnikov National University, Україна
  • Y. N. Karakis Odessa I.I. Mechnikov National University, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/0235-2435.2019.28.195491

Ключові слова:

cadmium sulfide, photoexcitation, photocurrent

Анотація

The processes at short-wave limit of the quenching of the photocurrent were  studied. The possibility of creating a new type of device - a sensitive photometer (not on the intensity of light, but on its wavelength), and the combined temperature–voltage tester.

The process of hole oscillation under photoexcitation from R-centers is investigated. The quantum yield for infrared light is determined. The effect of the applied voltage on the form of the spectral distribution curves of the photocurrent quenching was found and explained. The concentration of R-centers in the samples is calculated.

This publication is a continuation of the reviews [1– 2]. For the sake of preservation of generality of work continuous numbering of sections is chosen. Numbers of formulas and figures are presented by sections. References in each article are given individually.

Cadmium sulfide crystals are used in our studies as a convenient model material. Obtained results and constructed models are also applied to other semiconductors.

Посилання

Simanovych N.S., Brytavskyi Ye.V., Kutalova M.I., Borshchak V.A., Karakis Y.N. “The study of heterogeneous sensitized crystals of cadmium sulfide. Part I. About

charge state of the centers recombination” //Photoelectronics, n. 26. Odessa, “Одеський національний університет” 2017. s.124–138.

S.S.Kulikov, Ye.V. Brytavskyi, M.I., Kutalova, N.P. Zatovskaya, V.A. Borshchak, N.V. Konopel’skaya, Y.N. Karakis “The study of cadmium sulfide heterogeneously sensitized crystals. Part II. Relaxation characteristics” // “Photoelectronics”, n. 27. Odessa, “Одеський національний університет” 2018. s. 79 – 93.

A.A.Dragoev, Yu.N.Karakis, M.I. Kutalova “Studies of processes within short-wave threshold of photocurrent infrared quenching” // Photoelectronics, n. 16. 2007. s. 60 – 64.

А.А.Драгоев “Вивчення умов початку інфрачервоного гасіння фотоструму” // Работа – призёр Областной сессии МАН. Мала Академія наук України. Одеське територіальне відділення. Секція “Фізика”. Одеса, 2007. 31 с.

Каракис К.Ю. “Релаксационные характеристики полупроводниковых кристаллов с ИК-гашением фототока”// Одесса, Работа – лауреат Областного конкурса (III место) Малой академии наук, Областное территориальное отделение, Секция “Физика”. Одесса, 2001. с. 1–37.

Ю.Н.Каракис, Н.П.Затовская, В.В.Зотов, М.И.Куталова “Особенности релаксации фототока в кристаллах сульфида кадмия с запорными контактами” // 1-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Одеса, 10–14 вересня 2002. Тези доповідей. Т.2. – с.138.

К.Ю.Каракис, В.А.Борщак, В.В.Зотов, М.И.Куталова “Релаксационные характеристики кристаллов сульфида кадмия с ИК- гашением” // Фотоэлектроника вып.11. 2002. с.51 – 55.

Каракис Ю.Н., Борщак В.А., Затовская Н.П., Зотов В.В., Куталова М.И., Балабан А.П. “Исследование релаксации фототока в полупроводниковом устройстве” // Фотоэлектроника №12. 2003. с. 132 – 135.

M.A.Novikova, Yu.N.Karakis, M.I. Kutalova “Particularities of current transfer in the crystals with two types of Recombination centers” // Photoelectronics n.14. 2005. s. 58 –61.

A.A.Dragoev, Yu.N.Karakis, M.I. Kutalova “Peculiarities in photoexcitation of carriers from deep traps” // Photoelectronics n. 15. 2006. s. 54–56.

Драгоев А.А., Затовская Н.П., Каракис Ю.Н., Куталова М.И. “Управляемые электрическим полем датчики инфракрасного излучения” // Материалы 2 nd International Scientific and Technical Conference “Sensors Electronics and Microsystems Technology” Book of abstracts s. 115. Секция IV “Радіаційні, оптичні, та оптоелектричні сенсори”. Україна, Одеса, 26–30 червня 2006 р. “Астропринт”. 2006.

Зимина София Олеговна, Каракис Юрий Николаевич “Исследование полупроводникового спектрального калибратора с селективной чувствительностью” // Материалы международной заочной научно-практической конференции “Инновационные подходы и современная наука” – Новосибирск. 2012. с. 20-26.

Зимина С.О., Каракис Ю.Н. “Разработка физических основ схем регистрации в ближней инфракрасной области” // Международная конференция “Электронная техника и технологии”. Харьковский национальный университет радиоэлектроники. Харьков. 2011. Тезисы докладов. Том 1. “Электронные приборы и компоненты, включая микро- и наноэлектронные”. с. 106.

Melnik А.S., Karakis Y.N.. Kutalova M.I., Chemeresjuk G.G. “Features of thermo-optical transitions from the recombination centers excited states” // Photoelectronics n. 20. 2011. s. 23-28.

Софія Зіміна, Юрій Каракіс. “Спектрально–чутливий датчик світлових потоків, температури та напруги“ // International Conference of Students and Young Scientists in Theoretical and Experimental Physics HEUREKA – Lviv, Ukraine – 2011. – Book of abstracts. s. F3.

Новикова М.А. “Особливості інфрачервоного гасіння фотоструму у напівпровідниках CdS” // Работа – лауреат Областного конкурса (1 место) Малой академии наук, Областное территориальное отделение, Секция “Физика”. Одесса, 2005. с. 1 – 37.

M.A.Novikova “Change of Photoelectric Properties of Semiconductors as a Tool for the Control of Environmental Pollution by Extraneous Admixtures and IR-illumination”

//Section of Environmental Science. Finalist of Intel International Science and Engineering Fair. USA, AZ, Phoenix, May 8 – 18. 2005.

А.А.Драгоев “Визначення квантового виходу інфрачервоного гасіння фототоку” // Робота – лауреат Областної сесії Малої Академії наук України. Одеське територіальне відділення. Секція “Фізика”. Одеса 2006. 32 с.

Чемересюк Г.Г., Каракис Ю.Н. Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму “Фотоэлектрические процессы в полупроводниках. Часть I.” // Одесса. Издательство Одесского национального университета. 2011. с. 1 – 59.

L.M. Filevska. Luminescence of nanoscale tin dioxide. Review. Photoelectronics. 27 (2018), p.52-59.

V.S. Grinevych, L.M. Filevska, V.A. Smyntyna, M.O. Stetsenko, S.P. Rudenko, L.S. Maksimenko, and B.K. Serdega. Characterization of SnO2 Sensors Nanomaterials by Polarization Modulation Method. Springer Science+Business Media Dordrecht 2016 J. Bonca, S. Kruchinin (eds.), Nanomaterials for Security, NATO Science for Peace and Security Series A: Chemistry and Biology, DOI 10.1007/978-94-017-7593-9, p.259-266.

Обкладинка_Photoelectronics_28

##submission.downloads##

Опубліковано

2020-02-14

Номер

№ 28 (2019)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2020 Photoelectronics

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

авторське право переходить до видання.