ОСОБЛИВОСТІ СВІТЛОВОЇ ПРОВІДНОСТІ В КРИСТАЛАХ, ОБРОБЛЕНИХ У КОРОННОМУ РОЗРЯДІ

Автор(и)

  • О. П. Мінаєва Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • Н. С. Сіманович Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • Н. П. Затовська Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • Ю. М. Каракіс Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • М. І. Куталова Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • Г. Г. Чемересюк Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/0235-2435.2016.25.157666

Ключові слова:

кристали, коронний розряд, світлова провідність

Анотація

Розроблено технологію обробки напівпровідникових кристалів у коронному розряді. Встановлено, що в результаті цього впливу зразки набувають знакоперемінну спектральну чутливість. Явища, що спостерігаються, пояснені виникненням двосхилого потенційного бар'єра в приповерхній області елемента, незвичайні властивості якого можуть дозволити створення приладу нового типу.

Посилання

Чемересюк Г. Г., Сердюк В. В. Явления, обусловленные захватом носителей, инжектированных в освещенные монокристаллы селенида кадмия // Известия высших учебных заведений. Физика. – 1998. – № 12. – С. 7-12.

Чемересюк Г. Г. Отрицательная фотопроводимость в селениде кадмия, обусловленная уменьшением подвижности свободных носителей // Studia Universitatis babes-bolyai: Series Physica Fasciculus 1. – 1992. – 21 c.

Чемересюк Г. Г., Сердюк В. В. Коротковолновое гашение продольной фотопроводимости монокристаллов селенида кадмия // Физика и техника полупроводников. – 1999. – Т. 3, вып. 3. – С. 396-399.

Физика и химия соединений АIIBVI / Под ред. проф. С. А. Медведева. – М. : Мир, 1999. – С. 103-104.

Драгоев А. А., Каракис Ю. Н., Балабан А. П., Чемересюк Г. Г. Расчёт профиля ОПЗ датчиков со знакопеременной спектральной чувствительностью // 4nd International Scientific and Technical Conference “Sensors Electronics and Microsystems Technology” (СЕМСТ-4). Book of abstracts s. 192. Секция II Проектування та математичне моделювання сенсорів”. Україна, Одеса, 28 червня – 2 липня 2010 р. – Одесса : Астропринт, 2010.

Dragoev A.A., Muntjanu A.V., Karakis Yu. N., Kutalova M. I. Calculation for migration-dependent changes in nearcontact space-charge regions of sensitized crystals // Photoelectronics. – 2010. – No. 19. – P. 74-78.

Минаева О. П. Влияние газового разряда на формирование энергетического барьера в приповерхностной области кристаллов сульфида кадмия // Материалы 63-й отчетной студенческой научной конференции. Секция физики полупроводников и диэлектриков. – Одесса, 2007. – С. 3-4.

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-12-26

Номер

№ 25 (2016)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2020 Photoelectronics

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

авторське право переходить до видання.