ВПЛИВ МЕХАНІЧНОЇ ОБРОБКИ, ЕЛЕКТРИЧНОГО ТОКУ, ЗМІНИ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ НА НЕПРУЖНІ характеристики підкладок Si + SiO2, GeSi и SiO2

Автор(и)

  • А. П. Онанко Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Україна
  • О. В. Ляшенко Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Україна
  • Г. Т. Продайвода Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Україна
  • С. А. Вижва Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Україна
  • Ю. А. Онанко Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/0235-2435.2012.21.205222

Ключові слова:

напівпровідникова підкладка, структурні дефекти, ультразвукова деформація, внутрішнє тертя, модуль пружності

Анотація

Для неруйнівного контролю структурних дефектів напівпровідникових пластин розроблена методика, що дозволяє по різниці внутрішнього тертя вільних пружних коливань на сусідніх гармоніках f1 і f2 визначати інтегральну щільність структурних дефектів, їх розподіл і глибину порушеного шару. Для підкладок Si + SiO2 зміряна інтегральна щільність дислокацій і глибина порушеного шару по градуювальній кривій. Розглянутий вплив постійного і змінного електричного току при одночасній дії ультразвукової деформації на внутрішнє тертя і модуль пружності монокристала GeSi2 після різання і шліфування. Виявлено зменшення модуля пружності і зростання внутрішнього тертя досягши критичної величини електричного току

Біографії авторів

А. П. Онанко, Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Onanko А. P.,

О. В. Ляшенко, Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Lyashenko О. V.,

Г. Т. Продайвода, Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Prodayvoda G. Т.,

С. А. Вижва, Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Vyzhva S. А.,

Ю. А. Онанко, Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Onanko Y. А.

Посилання

Landau L. D., Liphshic E. M. Theory of elasticity. — M.: Nauka, 1999 — Р. 364 .

Lyashenko O. V. , Onanko A. P., Vele-schuk V. P. et al. Structural defects relaxation during complex thermal and dynamical mechanic processing of CdTe // Photoelectronics. — 2008. — № 17. — Р. 10-13.

Onanko A. P. Influence of hydrogen on directional surface of inelastic-elastic body Ti0.5Al0.5 alloy // Metalphysics and new technology. — 2011. — V. 33, № 2. — P. 253-261.

Novik A., Berri B. Relaxation phenomena in crystals. — M.: Atomizdat, 1995. — Р.472 .

Nikanorov S. P., Kardashev B. K. Ela-sticity and dislocation inelasticity of crystals. — M.: Nauka, 1995. — Р.253 .

Shpak A. P., Kunickiy Y. A., Karbov-skiy V. L. Clusters and nanostructure materials. — Kyiv: Academy periodic, 2001. — Р.588 .

Molodkin V. B., Nizkova A. I., Shpak A. P. et al. Difractometria nanosize defects and geterolayers in crystals. — Kyiv: Academy periodic, 2005. — Р.364 .

Azarenkov N. А., Beresnev V. M., Po-grebnyak А. D. Structure and properties of protective covering and modify materials layers. — Charkov: CNU, 2007. — Р.560 .

Vlaskina S. I., Svechnikov G. S., Smintina V. А. Films of silicon carbide. — Odesa: Astroprint, 2007. — Р.104 .

Smintina V. А. Physics-chemical phenomena on solid state surface. — Odesa: Astroprint, 2009. — Р.191

##submission.downloads##

Опубліковано

2020-06-11

Номер

№ 21 (2012)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2012 Photoelectronics

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

авторське право переходить до видання.