ЕВОЛЮЦИЯ СТРУКТУРНИХ ДЕФЕКТІВ В КРЕМНІЇ, ЯКЕ ВИКЛИКАНЕ ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНИМ ОКИСЛЕННЯМ
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2012.21.205569Ключові слова:
дислокації, самоорганізація, структура Si-SiO2.Анотація
Процеси самоорганізації дислокацій в приповерхневих шарів кремнію в Si-SiO2 при високотемпературному окисленні були досліджені в даній роботі. Було визначено, що поява складної дефектної структури викликано релаксацією механічних напружень. Було запропоновано механізм утворення дефектів у приповерхневих шарах Si-SiO2. Процеси самоорганізації пояснюється, в рамках синергетичного методу. Було показано, що формування періодичної структури дислокації на границі є наслідком просторової нестійкості розподілу дислокацій в кристалі, їх самоорганізації за рахунок кореляцій між киснем, що поширюється уздовж структурних дефектів та ансамблю дислокацій.Посилання
Tsybeskov L., Kamenev B. V., Sirenko A. A., McCaffrey J. P. and Lockwood D. J., Strain-induced lateral self-organization in Si/SiO2 nanostructures // Appl. Phys. Lett. — 2010. — Vol. 96. — P. 013105.
Stesmans A., Nouwen B., Afanasyev V. V., Structural degradation of thermal SiO2 on Si by high-temperature annealing: Defect generation // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 66. — P. 045307.
Hideki Tsuya, Present Status and Prospect of Si Wafers for Ultra Large Scale Integration // Jpn. J. Appl. Phys. — 2004. — Vol. 43. — P. 4055.
Smyntyna V. A., Kulinich O. A., Iatsunskyi I. R., Marchuk I. A., Pavlenko N. N. Fractal analysis of nanostructured silicon surfaces // Photoelectronics. — 2011. — №. 20. — P. 63-66.
Yatsunskiy I. R. and Kulinich O. A., Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO2 structure // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. — 2010. —Vol. 13. — P. 418-421.
Kulinich O. A., The mechanism of formation and properties of stratified-inhomogeneity defects in silicon // Russian Physics Journal. — 2006. Vol. 49. — P. 233-238.
Ravi K. V., Imperfections and impurities in semiconductor silicon, NY: Wiley, 1981.
H. F. Matare., Defect Electronics in Semiconductors, Willey-Interscience, New York, 2000.
Kulinich O. A. and Glauberman M. A., Correlation between the parameters and structural perfection of silicon pin-photodetectors // Russian Physics Journal. — 2004. — Vol. 47. — P. 1268-1275.
Katsnelson A. and Olemskoi A., Microscopic Theory of nonhomogeneous structures, Amer. Inst of Physics, 1990.
Olemskoi A. I., Theory of structure in nonequilibrium Condensed Matter, NY: Nova Science, 1999.
Malygin G. A., Dislocation self-organization processes and crystal plasticity// Physics-Uspekhi. — 1999. — Vol. 42. — P. 887.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.