DOI: https://doi.org/10.18524/0235-2435.2012.21.205569

ЕВОЛЮЦИЯ СТРУКТУРНИХ ДЕФЕКТІВ В КРЕМНІЇ, ЯКЕ ВИКЛИКАНЕ ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНИМ ОКИСЛЕННЯМ

І. Р Яцунський

Анотація


Процеси самоорганізації дислокацій в приповерхневих шарів кремнію в Si-SiO2 при високотемпературному окисленні були досліджені в даній роботі. Було визначено, що поява складної дефектної структури викликано релаксацією механічних напружень. Було запропоновано механізм утворення дефектів у приповерхневих шарах Si-SiO2. Процеси самоорганізації пояснюється, в рамках синергетичного методу. Було показано, що формування періодичної структури дислокації на границі є наслідком просторової нестійкості розподілу дислокацій в кристалі, їх самоорганізації за рахунок кореляцій між киснем, що поширюється уздовж структурних дефектів та ансамблю дислокацій.

Ключові слова


дислокації, самоорганізація, структура Si-SiO2.

Повний текст:

PDF

Посилання


Tsybeskov L., Kamenev B. V., Sirenko A. A., McCaffrey J. P. and Lockwood D. J., Strain-induced lateral self-organization in Si/SiO2 nanostructures // Appl. Phys. Lett. — 2010. — Vol. 96. — P. 013105.

Stesmans A., Nouwen B., Afanasyev V. V., Structural degradation of thermal SiO2 on Si by high-temperature annealing: Defect generation // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 66. — P. 045307.

Hideki Tsuya, Present Status and Prospect of Si Wafers for Ultra Large Scale Integration // Jpn. J. Appl. Phys. — 2004. — Vol. 43. — P. 4055.

Smyntyna V. A., Kulinich O. A., Iatsunskyi I. R., Marchuk I. A., Pavlenko N. N. Fractal analysis of nanostructured silicon surfaces // Photoelectronics. — 2011. — №. 20. — P. 63-66.

Yatsunskiy I. R. and Kulinich O. A., Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO2 structure // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. — 2010. —Vol. 13. — P. 418-421.

Kulinich O. A., The mechanism of formation and properties of stratified-inhomogeneity defects in silicon // Russian Physics Journal. — 2006. Vol. 49. — P. 233-238.

Ravi K. V., Imperfections and impurities in semiconductor silicon, NY: Wiley, 1981.

H. F. Matare., Defect Electronics in Semiconductors, Willey-Interscience, New York, 2000.

Kulinich O. A. and Glauberman M. A., Correlation between the parameters and structural perfection of silicon pin-photodetectors // Russian Physics Journal. — 2004. — Vol. 47. — P. 1268-1275.

Katsnelson A. and Olemskoi A., Microscopic Theory of nonhomogeneous structures, Amer. Inst of Physics, 1990.

Olemskoi A. I., Theory of structure in nonequilibrium Condensed Matter, NY: Nova Science, 1999.

Malygin G. A., Dislocation self-organization processes and crystal plasticity// Physics-Uspekhi. — 1999. — Vol. 42. — P. 887.




Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

ISSN: 0235-2435 (Print)