OPTIMYZATION IN CONDITIONS FOR CdS-Сu2S HETEROPHOTOCELL SHAPING

Автор(и)

  • Ю. Н. Караис Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • М. И. Куталова Odesa I. I. Mechnikov National University, Україна
  • Н. П. Затовская Odesa I. I. Mechnikov National University, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/0235-2435.2012.21.206345

Ключові слова:

optimization, geterophotocell, thin film structures

Анотація

CdS-Cu2S thin film structures are prospective to be the base for high-efficient converters of solar energy to electric one. The theoretical efficiency of these elements is 27 %. But the complexity to obtain all components of the system with optimal parameters confines to reach such higher efficiency in practice.

Біографії авторів

Ю. Н. Караис, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

Karakis Yu. N.,

М. И. Куталова, Odesa I. I. Mechnikov National University

Kutalova M. I., Zatovskaya N. P.

Н. П. Затовская, Odesa I. I. Mechnikov National University

Zatovskaya N. P.

Посилання

Ю. Н. Каракис, М. И. Куталова, Н. П. Затовская, В. В. Зотов, «Особенности релаксации фототока в кристаллах сульфида кадмия с запорными контактами» 1-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Одеса, 10-14 вересня 2002 р. Тези доповідей. Т.2. C.138.

A. A. Dragoev, A. V. Muntjanu, Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova «Calcu-lation for migration-dependent changes in near-contact space-charge regions of sensitized crystals». «Photoelectronics», v. 19. Odessa «Astroprint» 2010. P. 74-78.

M. A. Novikova, Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova «Particularities of current transfer in the crystals with tw types of Recombination centers». «Photoelec-tronics», 2005, v.14, P. 58-61.

Melnik А. S., Karakis Y. N. Kutalova M. I., Cheme-resjuk G. G. «Features of thermo-optical transitions from the recombination centers excited states». «Photoelectronics», v. 20. Odessa «Astroprint» 2011. P. 23-28.

##submission.downloads##

Опубліковано

2020-06-25

Номер

№ 21 (2012)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2012 Photoelectronics

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

авторське право переходить до видання.