FEATURES OF PHOTOCURRENT RELAXATION IN SENSOR-BASED CdS CRYSTALS OR FEATURES OF PHOTOCURRENT RELAXATION IN CRYSTALS WITH FAST AND SLOW RECOMBINATION CENTRES

Автор(и)

  • А. А. Драгоев Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • А. С. Ильяшенко Odesa I. I. Mechnikov National University, Україна
  • Ю. Н. Каракис Odesa I. I. Mechnikov National University, Україна
  • М. И. Куталова Odesa I. I. Mechnikov National University, Україна
  • В. С. Бабинчук Odesa I. I. Mechnikov National University, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/0235-2435.2012.21.206807

Ключові слова:

relacxation, photocurrent, recombination.

Анотація

The fast relaxation of the photocurrent associated with electronic processes has been explored. The external factors effect has been investigated. It was shown that in contrast to the accepted view of the phenomena, the of carriers’ transitions mechanism includes thermal excitation in sensitivity centers, and only then transition to the free state.

Біографії авторів

А. А. Драгоев, Одеський національний університет імені І. І. Мечникова

Dragoev A. A.,

А. С. Ильяшенко, Odesa I. I. Mechnikov National University

Ilyashenko A. S.,

Ю. Н. Каракис, Odesa I. I. Mechnikov National University

Karakis Yu. N.,

М. И. Куталова, Odesa I. I. Mechnikov National University

Kutalova M. I.,

В. С. Бабинчук, Odesa I. I. Mechnikov National University

Babinchuk V. S.

Посилання

Ю. Н. Каракис, Н. П. Затовская, В. В. Зотов, М. И. Куталова «Особенности релаксации фототока в кристаллах сульфида кадмия с запорными контактами» 1-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Одеса, 10-14 вересня 2002 р. Тези доповідей. Т. 2. С. 138.

A. A. Dragoev, A. V. Muntjanu, Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova

«Calculation for migration-dependent changes in near-contact space-charge regions of sensitized crystals.»

«Photoelectronics», n. 19. Odessa «Astroprint» 2010. Р. 74-78.

В. В. Сердюк, Г. Г. Чемересюк «Фото-электрические процессы в полупроводниках», Киев, «Либідь», 1999, С.190 .

M. A. Novikova, Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova «Particularities of current transfer in the crystals with two types of Recombination centers». «Photoelectronics», 2005, n.14, Р. 58-61.

Р. Бьюб «Фотопроводимость твёрдых тел». Из-во ин. лит. М., 2002 г. С. 558.

Melnik А . S., Karakis Y. N., Kutalova M. I., Chemeresjuk G. G. «Features of thermo-optical transitions from the recombination centers excited states». «Photoelectronics», n. 20. Odessa «Astroprint» 2011. Р. 23-28.

##submission.downloads##

Опубліковано

2020-06-30

Номер

№ 21 (2012)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2012 Photoelectronics

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

авторське право переходить до видання.