DOI: https://doi.org/10.18524/0235-2435.2012.21.206950

ВПЛИВ ПАРІВ АМІАКУ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОБОЮ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ Si ТА GaAs

О. О. Птащенко, Ф. О. Птащенко, В. Р. Гільмутдінова, Г. В. Довганюк

Анотація


Досліджено вплив парів аміаку та води на вольт-амперні характеристики зворотних струмів у p-n переходах на основі Si та GaAs. В більшості досліджених зразків пари аміаку та води зменшують напругу пробою. На деяких зразках спостерігався зворотний ефект. Ця різниця обумовлена домінуванням різних поверхневих центрів, які мають донорні або акцепторні властивості. Деякі p-n переходи мають фіксовану напругу пробою незалежно від присутності парів аміаку та води. Дана поведінка обумовлена локалізацією пробою в об’ємі кристалу в таких зразках. Таким чином, вплив парів аміаку на напругу пробою дає інформацію про локалізацію пробою і про зарядовий стан поверхневих центрів.

Ключові слова


p-n перехід, газовий сенсор, зворотний струм, напруга пробою, поверхневий центр.

Повний текст:

PDF

Посилання


Ptashchenko O. O., Artemenko O. S., Ptashchenko F. O. Vliyanie gazovoi sredy na poverhnostnyi tok v p-n geterostrukturakh na osnove GaAs-AlGaAs // Fisika i khimiya tverdogo tila. — 2001. — V. 2, № 3. — P. 481 — 485.

Ptashchenko O. O., Artemenko O. S., Ptashchenko F. O. Vplyv pariv amiaku na poverkhnevyi strum v p-n perekhodakh na osnovi napivprovidnykiv А3В5 // Journal of physical studies. — 2003. — V. 7, № 4. — P. 419 — 425.

Ptashchenko O. O., Artemenko O. S., Dmytruk M. L. et al. Effect of ammonia vapors on the surface morphology and surface current in p-n junctions on GaP. // Photoelectronics. — 2005. — No. 14. — P. 97 — 100.

Ptashchenko F. O. Effect of ammonia vapors on surface currents in InGaN p-n junctions. // Photoelectronics. — 2007. — No. 17. — P. 113-116.

Ptashchenko F. O. Vplyv pariv amiaku na poverkhnevyi strum u kremniyevykh p-n perekhodakh // Ptashchenko F. O. Visnyk ONU, ser. Fizyka. — 2006. — V. 11, №. 7. — P. 116-119.

Ptashchenko O. O., Ptashchenko F. O., Yemets O. V. Effect of ammonia vapors on the surface current in silicon p-n junctions. // Photoelectronics. — 2006. — No. 16. — P. 89-93.

Ptashchenko O. O., Ptashchenko F. O., Yemets O. V. Effect of ambient atmoswphere on the surface current in silicon p-n junctions // Photoelectronics. — 2009. — No. 18. — P. 28 — 32.

Ptashchenko O. O, Ptashchenko F. O. Gil’mutginova V. R., Dovganyuk G. V., Bogdan O. V. Effect of water- and ammonia vapors on the breakdown of p-n junctions // Sensor Electronics and Microsystem Technologies (SEMST-5). Odessa, June 4-8, 2012. Abstracts of the Reports. — P. 81.

Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices. V. 1. — New York: A. Wiley-Interscience Publication, 1981. — 456 p.

Vashpanov Yu. A., Smyntyna V. A. Ad-sorbtsionnaya chuvstvitel’nost’ poluprovodnikov. — Odessa: Astroprint, 2005. — 216 p.




Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

ISSN: 0235-2435 (Print)