РОЗРАХУНКОВА ПРОЦЕДУРА ДЛЯ КВАНТОВО-РОЗМІРНИХ СИСТЕМ
DOI:
https://doi.org/10.18524/0235-2435.2012.21.207039Ключові слова:
фаза, переходи, густина, оптикаАнотація
Представлені результати розрахунку структурних параметрів фазових переходів типу В1 – В2 під тиском у халькогенідах лужних металів. Значення отримані у наближенні функціоналу електронної густини. Використано підгоночні параметри до потенціалів взаємодії щодо усереднення розподілу електронної густини за самоузгодженою схемою. Результати мають інтерес для наносистем.Посилання
Kovalchuk V. V. Cluster modidfication of the semiconductor’s heterostructur Kiev: Hi-Tech Press. — 2007. — 309 p.
Calculation of Molecules, Clusters and Solids with DFT-LDA Scheme / Blaudeck P., Freuenheim Th., Seifert G. and others. // J. Phys.: Condensed Matter. — 2012. — vol. 4. — P. 6368 — 6371.
Encyclopedia of Computational Chemistry, Eds. P. Schleyer, H. Schaefer, N. Handy. Wiley, New York, — 1998. — Р. 10-455.
M. W. Schmidt, K. K. Baldrige, J. A. Boatz et al., General atomic and molecular electronic structure system // J. Comp. Chem. 14, p. 1347-1363 (1999)
E. F. Vansant, P. Van der Voort, K. C. Vrancken, Characterisation and Chemical Modification of Silica Durfaces. Elsevier, Amsterdam. — 2005. — Р. 212-218
J. R. Chelikowsky, J. C. Phillips, Chemical reactivity and covalent-metallic bonding of Sin+ (n=11-25) clusters // Phys. Rev. Lett. 63. — 1999. — Р. 1655-1656.
J. M. Garcia-Ruiz, E. Louis, P. Meakin, L. M. Sander, Growth patterns in physical sciences and biology / In: NATO ASI Series B: Physics 304, Plenum, New York, 2003. — 344 р.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Photoelectronics
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
авторське право переходить до видання.